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AlN(氮化鋁)含量對復合材料體積電阻率和表面電阻率的影響?

更新時間:2026-01-16      點擊次數:214

具體影響分(fen)析

1.電(dian)阻率保持(chi)高水平

AlN體積(ji)含量從0%增加至46%的(de)(de)高比例時,復合材(cai)料的(de)(de)體(ti)積電(dian)阻(zu)率(lv)始終維(wei)持在101?Ω·m的數量(liang)級,表面電(dian)阻率維持在101?Ω的數量級(ji)。

這兩個數值是典型高性能絕(jue)緣材料的標志,表(biao)明復合材料在電氣(qi)上仍然是近乎完mei的絕(jue)緣體(ti)。

2.影響機制解釋(為什(shen)么變化不(bu)大?)

AlN自身的本(ben)征特性是關鍵:AlN不僅是(shi)一種(zhong)高(gao)熱導率(lv)的(de)陶瓷,其本身也具有很高(gao)的(de)電阻率(lv)(通常>101?Ω·m)。因此,當它作為(wei)填(tian)料分散在環(huan)氧樹(shu)脂(zhi)基體(ti)(ti)中時,它本身并不(bu)會(hui)引入(ru)導電通路或降(jiang)低體(ti)(ti)系的整體(ti)(ti)絕緣(yuan)性(xing)。

絕緣-絕緣"復(fu)合體(ti)(ti)系:該復(fu)合材料屬于高絕(jue)緣(yuan)性基體(ti)(環氧(yang)樹脂(zhi))+高(gao)絕緣性填料(AlN"的復合(he)模式。兩者的復合(he)沒有改變體系的絕緣本質。

填料(liao)的分散狀態:在所述含量范圍內(≤46%),AlN顆粒可能被絕緣(yuan)的(de)環氧樹脂基體有效包(bao)覆(fu)和隔離,沒有形成(cheng)連(lian)續的(de)、可供電(dian)子直接傳輸的(de)導電(dian)網絡或隧道電(dian)流通路。

與介電(dian)性(xing)能變化的對比

體積(ji)/表面(mian)電阻率基(ji)本保(bao)持(chi)不(bu)變(保(bao)持(chi)高絕緣性)1.AlN自身電阻(zu)率高;2.未形成導電通(tong)路。

介電(dian)常數(εr)顯著升高后(hou)趨于平緩(huan)1.AlN的介電常數(~15)高于(yu)環氧樹脂(zhi);2.界面極(ji)化增(zeng)強。

介電損耗(hao)(tanδ)下降AlN的介(jie)電損耗(hao)(0.0018)低于環(huan)氧樹(shu)脂,拉低了整體(ti)(ti)損耗。

重要區(qu)分(fen):

電(dian)(dian)阻(zu)率(lv):反映材(cai)料阻(zu)止電(dian)(dian)流(liu)通過(導電(dian)(dian)性)的(de)能力,主(zhu)要(yao)由材(cai)料中(zhong)的(de)可遷(qian)移自由電(dian)(dian)荷(he)數量決定。AlN不(bu)提(ti)供自(zi)由電(dian)荷,故不(bu)影響(xiang)電(dian)阻(zu)率。

介(jie)電常(chang)數:反映材(cai)料在電場(chang)(chang)下存儲電荷(極化)的能(neng)力,與(yu)束(shu)縛電荷在電場(chang)(chang)中的位移有關。高介(jie)電常(chang)數的AlN和(he)其引入(ru)的(de)界(jie)面都(dou)能增強極(ji)化,故使(shi)介(jie)電常(chang)數升高(gao)。


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